BFR193E6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 12 V, SMD, SOT-23, BFR193E6327
Bestellnr.: 16S9830
HTN:
BFR193E6327
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,1547 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
Für rauscharme Verstärker mit hoher Verstärkung bis zu 2 GHz.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 12 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 580 mW | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 6 GHz |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | MY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |