BFP193E6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 80 mA, 12 V, SMD, SOT-143, BFP193E6327
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Bipolartransistor, BFP193E6327, Infineon Technologies
Der BFP193E6327 ist ein rauscharmer bipolarer Silizium-HF-Transistor, der für Hochleistungsverstärker verwendet wird.
Features
- Niedrige Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für Geräuscharm, Hochleistungsverstärker bis zu 2 GHz
- Für lineare Breitbandverstärker
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Kollektorstrom | 80 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 12 V | |
| Min Gleichstromverstärkung | 70 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.58 W | |
| Gehäuse | SOT-143 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 6 GHz | |
| Max Gleichstromverstärkung | 140 mA |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | MY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Nein |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |