BCX53-10 H6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, PNP, 1 A, 80 V, SMD, SOT-89, BCX53-10 H6327
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Transistor, BCX 53-10 H6327, INFINEON
Features
- Für AF-Treiber und Endstufen
- Hoher Kollektorstrom
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Pb-freies (RoHS-konformes) Gehäuse
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 80 V | |
| Max Gleichstromverstärkung | 160 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 63 mA | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | SOT-89 | |
| Ausführung | PNP | |
| Transitfrequenz fTmin | 125 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 2 W | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |