BCW68H | Infineon Technologies
Bipolartransistor, PNP, 800 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BCW68H
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Bipolartransistor, BCW68H, Infineon Technologies
Features
- Hoher Kollektorstrom
- Hohe Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für AF-Treiber und Endstufen
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| Nennstrom | 1 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.33 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 630 mA | |
| Kollektorstrom | 800 mA | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 1 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Gehäuse | SOT-23 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | MY |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |