BC850CE6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC850CE6327
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Bipolartransistor, BC850CE6327, Infineon Technologies
Features
- Hohe Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für AF-Eingangsstufen und Treiberanwendungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| Sättigungsspannung | 250 mV | |
| Montage | SMD | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Nennstrom | 100 mA | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.33 W | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Transitfrequenz fTmin | 250 MHz | |
| Max Gleichstromverstärkung | 800 mA | |
| Ausführung | NPN | |
| Min Gleichstromverstärkung | 420 mA |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |