BC848BE6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC848BE6327
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Bipolartransistor, BC848BE6327, Infineon Technologies
Features
- Hohe Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für AF-Eingangsstufen und Treiberanwendungen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.33 W | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 250 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 250 MHz | |
| Min Gleichstromverstärkung | 200 mA | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 30 V | |
| min. Temperatur | -65 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |