MMFTN6190KDW | Diotec
Diotec N/N-Kanal MOSFET, 30 V, 1 A, SOT-363, MMFTN6190KDW
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N-Kanal Doppel-FET - Anreicherungstyp, MMFTN6190KDW, Diotec
Features
- Doppel-MOSFET
- ESD geschütztes Gate
- Niedrige Schwellspannung
- Schnelle Schaltzeiten
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Leistungsmanagement
- Antriebsregler
- Treiberstufen
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 450 mΩ | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Strom | 1 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Spannung | 30 V | |
| Gehäuse | SOT-363 | |
| Verlustleistung W (DC) | 400 mW | |
| Ausführung | N/N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 280 mΩ |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412100 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |