DIW120SIC192 | Diotec
Diotec N-Kanal SiC MOSFET, 1200 V, 19 A, TO-247-3L, DIW120SIC192
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIW120SIC192, Diotec
Features
- SiC Material mit großem Bandabstand
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Ladestation
- Umrichter
- Standardausführung
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
max. Temperatur | 150 °C | |
max. Spannung | 1200 V | |
Montage | THT | |
Ausführung | N-Kanal | |
max. Strom | 19 A | |
Verlustleistung W (DC) | 127 W | |
Gehäuse | TO-247-3L | |
min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Ursprungsland | CN |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Nein |