DIW120SIC192 | Diotec

Diotec N-Kanal SiC MOSFET, 1200 V, 19 A, TO-247-3L, DIW120SIC192

Bestellnr.: 09S5602
HTN:
DIW120SIC192
Herstellerserien: DIW
DIW120SIC192 Diotec MOSFETs
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIW120SIC192, Diotec

Features

  • SiC Material mit großem Bandabstand
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Avalanche-Charakteristik
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Gleichstrom-Wandler
  • Stromversorgungen
  • Gleichstrom-Antriebe
  • Ladestation
  • Umrichter
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung 1200 V
Montage THT
Ausführung N-Kanal
max. Strom 19 A
Verlustleistung W (DC) 127 W
Gehäuse TO-247-3L
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Stange mit 30 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Nein