DIW120SIC022 | Diotec

Diotec N-Kanal SiC MOSFET, 1200 V, 120 A, TO-247-3L, DIW120SIC022

Bestellnr.: 09S5592
HTN:
DIW120SIC022
Herstellerserien: DIW
DIW120SIC022 Diotec MOSFETs
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
19,8254 € *
Verfügbar in 4 Tagen: 180 Stk. - bei Bestellung heute
Gesamtpreis:
8.921,43 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
450 Stk.
19,8254 €

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIW120SIC022, Diotec

Features

  • SiC Material mit großem Bandabstand
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Avalanche-Charakteristik
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Gleichstrom-Wandler
  • Stromversorgungen
  • Gleichstrom-Antriebe
  • Elektrowerkzeuge
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Temperatur 175 °C
max. Spannung 1200 V
Montage THT
Ausführung N-Kanal
max. Strom 120 A
Verlustleistung W (DC) 580 W
Gehäuse TO-247-3L
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Stange mit 30 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Nein