DIW065SIC015 | Diotec
Diotec N-Kanal SiC MOSFET, 650 V, 150 A, TO-247-3L, DIW065SIC015
Einzelpreis (€ / Stk.)
23,2645 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 8 Wochen
Gesamtpreis:
10.469,03 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
450 Stk.
23,2645 €
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIW065SIC015, Diotec
Features
- Advanced Trench Technologie
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Ladestation
- Umrichter
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-247-3L | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 550 W | |
| max. Strom | 150 A |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |