DIJ2A3N65 | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 650 V, 2.3 A, ITO-220AB, DIJ2A3N65
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,5593 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 8 Wochen
Gesamtpreis:
0,56 € *
Preisstaffel
Anzahl
Preis pro Einheit*
1 Stk.
0,5593 €
100 Stk.
0,4641 €
250 Stk.
0,3808 €
500 Stk.
0,3332 €
1000 Stk.
0,2725 €
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
N-Kanal Leistungs-MOSFET, DIJ2A3N65, Diotec
Features
- Advanced Trench Technologie
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Strom | 2.3 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.3x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Gehäuse | ITO-220AB | |
| Verlustleistung W (DC) | 30 W | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.6 Ω |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Nein |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |