DIF120SIC053 | Diotec
Diotec N-Kanal SiC MOSFET, 1200 V, 65 A, TO-247-4L, DIF120SIC053
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIF120SIC053, Diotec
Features
- SiC Material mit großem Bandabstand
- Große Luft- und Kriechstrecken
- Kelvin-Source für schnelles Schalten
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Ladestationen für E-Fahrzeuge
- Solar-Wechselrichter
- Batterieladegeräte
- Stromversorgungen
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 175 °C | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 65 A | |
| Verlustleistung W (DC) | 278 W | |
| Gehäuse | TO-247-4L | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |