DID3A2N65 | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 650 V, 3.2 A, TO-251, DID3A2N65
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DID3A2N65, Diotec
Features
- Advanced Trench Technologie
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 3.2 A | |
| Verlustleistung W (DC) | 54 W | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.5x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | TO-251 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.6 Ω | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 75 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |