DI7A6N10SQ | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 100 V, 7.6 A, SO-8, DI7A6N10SQ
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI7A6N10SQ, Diotec
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Power Trench Technologie
- Niedrige Gate-Ladung
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Stromüberwachungseinheiten
- Batteriebetriebene Geräte
- Lastschalter
- Verpolschutz
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 2.5 W | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 20 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | SO-8 | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 7.6 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.2x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |