DI7A6N10SQ | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 100 V, 7.6 A, SO-8, DI7A6N10SQ
Einzelpreis (€ / Stk.)
   0,3451 €  *  
   Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 4 Wochen 
 Gesamtpreis: 
  1.380,40 € * 
  *inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten 
  Zwischenverkauf vorbehalten 
 4000 Stk.
 0,3451 €
 N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI7A6N10SQ, Diotec
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Power Trench Technologie
- Niedrige Gate-Ladung
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Stromüberwachungseinheiten
- Batteriebetriebene Geräte
- Lastschalter
- Verpolschutz
- Standardausführung
 Technische Daten        
      
 | Filter | Merkmal | Wert | 
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 2.5 W | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 20 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | SO-8 | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 7.6 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.2x10<sup>-8</sup> C | 
 Download           
  Logistik        
     
 | Merkmal | Wert | 
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück | 
| Zolltarifnummer | 85412900 | 
| MSL | MSL 1 | 
| Ursprungsland | CN | 
 Compliance        
     
 | Merkmal | Wert | 
|---|---|
| SVHC frei | Ja | 
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 | 
| RoHS konform | Ja | 
 
 