DI7A6N10SQ | Diotec

Diotec N-Kanal MOSFET, 100 V, 7.6 A, SO-8, DI7A6N10SQ

Bestellnr.: 09S4962
HTN:
DI7A6N10SQ
Herstellerserien: DI
DI7A6N10SQ Diotec MOSFETs
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI7A6N10SQ, Diotec

Features

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Power Trench Technologie
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Stromüberwachungseinheiten
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Lastschalter
  • Verpolschutz
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung 100 V
Montage SMD
Ausführung N-Kanal
max. Strom 7.6 A
Verlustleistung W (DC) 2.5 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.2x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse SO-8
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 20 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 4.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 1
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja