DI4A5C06SQ | Diotec

Diotec N/P-Kanal MOSFET, 60 V, 4.5 A, SO-8, DI4A5C06SQ

Bestellnr.: 09S4942
HTN:
DI4A5C06SQ
Herstellerserien: DI
DI4A5C06SQ Diotec MOSFETs
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Dualer N+P Kanal Leistungs-MOSFET, DI4A5C06SQ, Diotec

Features

  • Zwei komplementäre MOSFETs
  • Niedrige Bauhöhe
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Stromüberwachungseinheiten
  • MOSFET- und IGBT-Treiber
  • Class-D Audioverstärker
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung 60 V
Montage SMD
Ausführung N/P-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 75 mΩ
max. Strom 4.5 A
Verlustleistung W (DC) 1.6 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.25x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse SO-8
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 55 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 4.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 3
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja