DI4A5C06SQ | Diotec
Diotec N/P-Kanal MOSFET, 60 V, 4.5 A, SO-8, DI4A5C06SQ
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Dualer N+P Kanal Leistungs-MOSFET, DI4A5C06SQ, Diotec
Features
- Zwei komplementäre MOSFETs
- Niedrige Bauhöhe
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Stromüberwachungseinheiten
- MOSFET- und IGBT-Treiber
- Class-D Audioverstärker
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 1.6 W | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N/P-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 55 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | SO-8 | |
| max. Spannung | 60 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 75 mΩ | |
| max. Strom | 4.5 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.25x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |