DI2A7N70D1K | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 700 V, 2.7 A, TO-252AA, DI2A7N70D1K
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 N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI2A7N70D1K, Diotec
Features
- Advanced Trench Technologie
- ESD geschütztes Gate
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Synchrongleichrichter
- Standardausführung
 Technische Daten        
      
 | Filter | Merkmal | Wert | 
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 34.4 W | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.6 Ω | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | TO-252AA | |
| max. Spannung | 700 V | |
| max. Strom | 2.7 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.8x10<sup>-9</sup> C | 
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  Logistik        
     
 | Merkmal | Wert | 
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück | 
| Zolltarifnummer | 85412900 | 
| MSL | MSL 3 | 
| Ursprungsland | CN | 
 Compliance        
     
 | Merkmal | Wert | 
|---|---|
| SVHC frei | Nein | 
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 | 
| RoHS konform | Ja | 
 
 