DI2A2N100D1K-AQ | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 1000 V, 2.2 A, TO-252AA, DI2A2N100D1K-AQ
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI2A2N100D1K-AQ, Diotec
Features
- Hohe Drain-Source-Spannung
- ESD geschütztes Gate
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Stromversorgungen
- Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
- Hochvolt-Gleichstromantriebe
- Batterie-Management-Systeme (BMS)
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 1000 V | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 2.2 A | |
| Verlustleistung W (DC) | 29.7 W | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.5x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | TO-252AA | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6.8 Ω | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |