DI200N10D2 | Diotec

Diotec N-Kanal MOSFET, 100 V, 200 A, TO-263AB, DI200N10D2

Bestellnr.: 09S4886
HTN:
DI200N10D2
Herstellerserien: DI
DI200N10D2 Diotec MOSFETs
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI200N10D2, Diotec

Features

  • Advanced Trench Technologie
  • Standard Level Gate-Ansteuerung
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Avalanche-Charakteristik
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Gleichstrom-Wandler
  • Stromversorgungen
  • Gleichstrom-Antriebe
  • Synchrongleichrichter
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Temperatur 175 °C
max. Spannung 100 V
Montage SMD
Ausführung N-Kanal
max. Strom 200 A
Verlustleistung W (DC) 340 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.62x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse TO-263AB
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 2.3 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 800 Stück
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 3
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Nein