DI200N10D2 | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 100 V, 200 A, TO-263AB, DI200N10D2
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI200N10D2, Diotec
Features
- Advanced Trench Technologie
- Standard Level Gate-Ansteuerung
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Synchrongleichrichter
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 340 W | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.3 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | TO-263AB | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 200 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.62x10<sup>-7</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Nein |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |