DI120SIC081D7 | Diotec
Diotec N-Kanal SiC MOSFET, 1200 V, 24 A, TO-263-7, DI120SIC081D7
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DI120SIC081D7, Diotec
Features
- Trench Technologie
- Zero Turn-off Gate Spannung
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Ladestation
- Umrichter
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 24 A | |
| Verlustleistung W (DC) | 93 W | |
| Gehäuse | TO-263-7 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 81 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |