DI065SIC080D7 | Diotec

Diotec N-Kanal SiC MOSFET, 650 V, 44 A, TO-263-7, DI065SIC080D7

Bestellnr.: 09S4746
HTN:
DI065SIC080D7
Herstellerserien: DI
DI065SIC080D7 Diotec MOSFETs
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DI065SIC080D7, Diotec

Features

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Avalanche-Charakteristik
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Gleichstrom-Wandler
  • Stromversorgungen
  • Gleichstrom-Antriebe
  • Ladestation
  • Umrichter
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Verlustleistung W (DC) 214 W
max. Temperatur 175 °C
Ausführung N-Kanal
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Gehäuse TO-263-7
max. Spannung 650 V
max. Strom 44 A
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 800 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
SVHC frei Nein
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja