DI056N10D2-AQ | Diotec

Diotec N-Kanal MOSFET, 100 V, 56 A, TO-263AB, DI056N10D2-AQ

Bestellnr.: 09S4722
HTN:
DI056N10D2-AQ
Herstellerserien: DI
DI056N10D2-AQ Diotec MOSFETs
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI056N10D2-AQ, Diotec

Features

  • Logikpegel Gate-Ansteuerung
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Avalanche-Charakteristik
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
  • Unterbrechungsfreie
  • Stromversorgungen (USV)
  • Batterieladegeräte
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung 100 V
Montage SMD
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 13 mΩ
max. Strom 56 A
Verlustleistung W (DC) 57.6 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 3.8x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse TO-263AB
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9.5 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 800 Stück
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 3
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja