DI049N06PTK-AQ | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 65 V, 49 A, PowerQFN 3x3, DI049N06PTK-AQ
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI049N06PTK-AQ, Diotec
Features
- ESD geschütztes Gate
- Niedrige Bauhöhe
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Stromüberwachungseinheiten
- Batteriebetriebene Geräte
- Lastschalter
- Verpolschutz
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 25 W | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6.1 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | PowerQFN 3x3 | |
| max. Spannung | 65 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 10 mΩ | |
| max. Strom | 49 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.1x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 5.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |