DI006N04KSQ2 | Diotec
Diotec N/N-Kanal MOSFET, 40 V, 6 A, SO-8, DI006N04KSQ2
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N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET, DI006N04KSQ2, Diotec
Features
- ESD geschütztes Gate
- Doppel-MOSFET
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Synchrongleichrichter
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 2 W | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N/N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 28 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | SO-8 | |
| max. Spannung | 40 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 35 mΩ | |
| max. Strom | 6 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.3x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |