DI006N04KSQ2 | Diotec

Diotec N/N-Kanal MOSFET, 40 V, 6 A, SO-8, DI006N04KSQ2

Bestellnr.: 09S4544
HTN:
DI006N04KSQ2
Herstellerserien: DI
DI006N04KSQ2 Diotec MOSFETs
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N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET, DI006N04KSQ2, Diotec

Features

  • ESD geschütztes Gate
  • Doppel-MOSFET
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Gleichstrom-Wandler
  • Stromversorgungen
  • Gleichstrom-Antriebe
  • Synchrongleichrichter
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung 40 V
Montage SMD
Ausführung N/N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 35 mΩ
max. Strom 6 A
Verlustleistung W (DC) 2 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.3x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse SO-8
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 28 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 4.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 1
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja