DI006H03SQ | Diotec

Diotec N/P-Kanal MOSFET, 30 V, 6 A, SO-8, DI006H03SQ

Bestellnr.: 09S4542
HTN:
DI006H03SQ
Herstellerserien: DI
DI006H03SQ Diotec MOSFETs
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N/P-Kanal Leistungs-MOSFET H-Brücke, DI006H03SQ, Diotec

Features

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Gleichstrom-Wandler
  • Stromversorgungen
  • Gleichstrom-Antriebe
  • Synchrongleichrichter
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung 30 V
Montage SMD
Ausführung N/P-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 40 mΩ
max. Strom 6 A
Verlustleistung W (DC) 1.5 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.17x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse SO-8
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 25 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 4.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 1
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja