DI001N65PTK-AQ | Diotec
Diotec N-Kanal MOSFET, 650 V, 1 A, PowerQFN 3x3, DI001N65PTK-AQ
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI001N65PTK-AQ, Diotec
Features
- ESD geschütztes Gate
- Niedrige Bauhöhe
- Controlled-Avalanche Charakteristik
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
- Sperrwandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 1 A | |
| Verlustleistung W (DC) | 32.2 W | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.8x10<sup>-9</sup> C | |
| Gehäuse | PowerQFN 3x3 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.6 Ω | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 5.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |