MMFTN2362 | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal MOSFET, 60 V, 3 A, SOT-23, MMFTN2362
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N-Kanal FET - Anreicherungstyp, MMFTN2362, Diotec
Features
- Sehr niedriger RDS(on)
- Hoher Drain-Strom
- Schnelle Schaltzeiten
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Spannungswandler
- Verpolschutz
- Leistungsschalter
- Batteriebetriebene Geräte
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 60 V | |
| max. Strom | 3 A | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 100 mΩ | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 80 mΩ | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.6x10<sup>-9</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 1.25 W | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |