MMBT7002KDW-AQ | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N/N-Kanal MOSFET, 60 V, 300 mA, N/N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert, MMBT7002KDW-AQ
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N-Kanal FET - Anreicherungstyp, MMBT7002KDW-AQ, Diotec
Features
- Doppel-MOSFET
- ESD geschütztes Gate
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Signalverarbeitung
- Pegelwandler
- Treiberstufen
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N/N-Kanal | |
| max. Spannung | 60 V | |
| max. Strom | 300 mA | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3 Ω | |
| Gehäuse | N/N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| Verlustleistung W (DC) | 350 mW | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412100 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |