DIW120SIC023-AQ | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert SiC MOSFET, 1200 V, 130 A, TO-247-3L, DIW120SIC023-AQ
Einzelpreis (€ / Stk.)
21,2177 € *
Verfügbar in 4 Tagen: 120 Stk. - bei Bestellung heute
Gesamtpreis:
15.276,74 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
720 Stk.
21,2177 €
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIW120SIC023-AQ, Diotec
Features
- SiC Material mit großem Bandabstand
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| max. Strom | 130 A | |
| Gehäuse | TO-247-3L | |
| Verlustleistung W (DC) | 600 W | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |