DIW030N65K | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal MOSFET, 650 V, 30 A, TO-247-3L, DIW030N65K
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DIW030N65K, Diotec
Features
- ESD geschütztes Gate
- Advanced Trench Technologie
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.000000104 C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 30 A | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 65 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 156 W | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | TO-247-3L |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |