DIJ2A7N90 | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal MOSFET, 900 V, 2.7 A, TO-220AB, DIJ2A7N90
Bestellnr.: 09S6132
HTN:
DIJ2A7N90
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DIJ2A7N90, DIOTEC
Features
- Advanced Trench Technologie
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 900 V | |
| max. Strom | 2.7 A | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3.4 Ω | |
| Gehäuse | TO-220AB | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.61x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 65.7 W | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |