DIF120SIC022-AQ | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal SiC MOSFET, 1200 V, 120 A, TO-247-4L, DIF120SIC022-AQ
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIF120SIC022-AQ, Diotec
Features
- SiC Material mit großem Bandabstand
- Große Luft- und Kriechstrecken
- Kelvin-Source für schnelles Schalten
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 120 A | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 580 W | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Gehäuse | TO-247-4L |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |