DIF120SIC017-AQ | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert SIC MOSFET, 1200 V, 90 A, TO-247-4L, DIF120SIC017-AQ
Bestellnr.: 09S6180
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DIF120SIC017-AQ
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIF120SIC017-AQ, DIOTEC
Features
- Große Luft- und Kriechstrecken
- Kelvin-Source für schnelles Schalten und reduzierte Störpegel am Gate
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| max. Strom | 90 A | |
| Gehäuse | TO-247-4L | |
| Verlustleistung W (DC) | 250 mW | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |