DI2A2N80D1 | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal MOSFET, 800 V, 2.2 A, DPAK, DI2A2N80D1
Bestellnr.: 09S6096
HTN:
DI2A2N80D1
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Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 54 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | DPAK | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 2.2 A | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.8 Ω | |
| max. Spannung | 800 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 9.6x10<sup>-9</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |