DI2A2N80D1-AQ | Diotec Semiconductors

Diotec Semiconductors N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert MOSFET, 800 V, 2.2 A, DPAK, DI2A2N80D1-AQ

Bestellnr.: 09S6098
HTN:
DI2A2N80D1-AQ
DI2A2N80D1-AQ Diotec Semiconductors MOSFETs
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SMD Kleinsignal-Dioden, DI2A2N80D1-AQ, Diotec Semiconductors

Features

  • Extrem schnelles Schalten
  • Niedrige Sperrschichtkapazität
  • Niedriger Sperrstrom

Anwendungen

  • Signalverarbeitung
  • Schnelles Schalten
  • Gleichrichten
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Ausführung N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert
max. Spannung 800 V
max. Strom 2.2 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 4.8 Ω
Gehäuse DPAK
Gate Charge Qg @10V (nC) 9.6x10<sup>-9</sup> C
Verlustleistung W (DC) 54 W
Montage SMD
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 150 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 1
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
Merkmal Wert
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15