DI120SIC026D7 | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal SIC MOSFET, 1200 V, 117 A, TO-263-7L, DI120SIC026D7
Bestellnr.: 09S6176
HTN:
DI120SIC026D7
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DI120SIC026D7, DIOTEC
Features
- Trench Technologie
- Zero Turn-off Gate Spannung
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Charging StationLadestation
- Umrichter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| max. Strom | 117 A | |
| Gehäuse | TO-263-7L | |
| Verlustleistung W (DC) | 535 W | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |