DI120SIC026D7 | Diotec Semiconductors

Diotec Semiconductors N-Kanal SIC MOSFET, 1200 V, 117 A, TO-263-7L, DI120SIC026D7

Bestellnr.: 09S6176
HTN:
DI120SIC026D7
DI120SIC026D7 Diotec Semiconductors MOSFETs
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SMD Kleinsignal-Dioden, DI120SIC026D7, Diotec Semiconductors

Features

  • Extrem schnelles Schalten
  • Niedrige Sperrschichtkapazität
  • Niedriger Sperrstrom

Anwendungen

  • Signalverarbeitung
  • Schnelles Schalten
  • Gleichrichten
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 1200 V
max. Strom 117 A
Gehäuse TO-263-7L
Verlustleistung W (DC) 535 W
Montage THT
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 175 °C
Logistik
Merkmal Wert
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15