DI017N10D1 | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, TO-252AA, DI017N10D1
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI017N10D1, Diotec
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
- Unterbrechungsfreie
- Stromversorgungen (USV)
- Batterieladegeräte
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 79 W | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.4x10<sup>-8</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 105 mΩ | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 17 A | |
| Gehäuse | TO-252AA | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| MSL | MSL 3 |
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Nein |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |