DI013P06PT-AQ | Diotec Semiconductors

Diotec Semiconductors P-Kanal MOSFET, -60 V, -12.5 A, PowerQFN 3x3, DI013P06PT-AQ

Bestellnr.: 09S4562
HTN:
DI013P06PT-AQ
Herstellerserien: DI
DI013P06PT-AQ Diotec Semiconductors MOSFETs
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P-Kanal Leistungs-MOSFET, DI013P06PT-AQ, Diotec

Features

  • Niedrige Bauhöhe
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Stromüberwachungseinheiten
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Lastschalter
  • Verpolschutz
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Verlustleistung W (DC) 25 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.65x10<sup>-8</sup> C
Ausführung P-Kanal
Montage SMD
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 95 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 70 mΩ
max. Spannung -60 V
max. Strom -12.5 A
Gehäuse PowerQFN 3x3
max. Temperatur 175 °C
Logistik
Merkmal Wert
MSL MSL 3
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 5.000 Stück
Compliance
Merkmal Wert
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja