DI006N06PW | Diotec Semiconductors

Diotec Semiconductors N-Kanal MOSFET, 65 V, 6 A, PowerQFN 2x2, DI006N06PW

Bestellnr.: 09S4546
HTN:
DI006N06PW
Herstellerserien: DI
DI006N06PW Diotec Semiconductors MOSFETs
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI006N06PW, Diotec

Features

  • Niedrige Bauhöhe
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Konform zu RoHS

Anwendungen

  • Stromüberwachungseinheiten
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Gleichstromwandler
  • Lastschalter
  • Synchrongleichrichter
  • Standardausführung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Verlustleistung W (DC) 1.67 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 1x10<sup>-8</sup> C
Ausführung N-Kanal
Montage SMD
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 30 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 20 mΩ
max. Spannung 65 V
max. Strom 6 A
Gehäuse PowerQFN 2x2
max. Temperatur 150 °C
Logistik
Merkmal Wert
MSL MSL 1
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 4.000 Stück
Compliance
Merkmal Wert
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja