DI006N06PW-AQ | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal MOSFET, 65 V, 6 A, PowerQFN 2x2, DI006N06PW-AQ
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI006N06PW-AQ, Diotec
Features
- Niedrige Bauhöhe
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Stromüberwachungseinheiten
- Batteriebetriebene Geräte
- Gleichstromwandler
- Lastschalter
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 1.67 W | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 30 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 20 mΩ | |
| max. Spannung | 65 V | |
| max. Strom | 6 A | |
| Gehäuse | PowerQFN 2x2 | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |