2N7000 | Diotec Semiconductors
Diotec Semiconductors N-Kanal MOSFET, 60 V, 200 mA, TO-92, 2N7000
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N-Kanal FET - Anreicherungstyp, 2N7000, Diotec
Features
- Schnelle Schaltzeiten
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Signalverarbeitung
- Pegelwandler
- Treiberstufen
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 350 mW | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | THT | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 6 Ω | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 5 Ω | |
| max. Spannung | 60 V | |
| max. Strom | 200 mA | |
| Gehäuse | TO-92 | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412100 |
| Originalverpackung | Ammopack mit 4.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |