DIW170SIC030-AQ | Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert SiC MOSFET, 1700 V, 123 A, TO-247-3L, DIW170SIC030-AQ
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DIW170SIC030-AQ, Diotec
Features
- Advanced Trench Technologie
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Ladestation
- Umrichter
- Standardausführung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| max. Spannung | 1700 V | |
| max. Strom | 123 A | |
| Gehäuse | TO-247-3L | |
| Verlustleistung W (DC) | 333 W | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Nein |