DI110N06D1-AQ | Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert MOSFET, 65 V, 110 A, DPAK, DI110N06D1-AQ
Bestellnr.: 09S6082
HTN:
DI110N06D1-AQ
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI110N06D1-AQ, DIOTEC
Features
- Advanced Trench Technologie
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Synchron-Gleichrichter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| max. Spannung | 65 V | |
| max. Strom | 110 A | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 4.5 mΩ | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3.2 mΩ | |
| Gehäuse | DPAK | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 7.5x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 71 W | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |