DI056N10D2 | Diotec Semiconductor

Diotec Semiconductor N-Kanal MOSFET, 100 V, 56 A, D2PAK, DI056N10D2

Bestellnr.: 09S6130
HTN:
DI056N10D2
DI056N10D2 Diotec Semiconductor MOSFETs
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI056N10D2, DIOTEC

Features

  • Logic Level Gate-Ansteuerung
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Avalanche-Charakteristik

Anwendungen

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Unterbrechungsfreie
  • Stromversorgungen (USV)
  • Ladegeräte
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 100 V
max. Strom 56 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 13 mΩ
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9.5 mΩ
Gehäuse D2PAK
Gate Charge Qg @10V (nC) 3.8x10<sup>-8</sup> C
Verlustleistung W (DC) 57.6 W
Montage SMD
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 150 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 1
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
Merkmal Wert
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja