ZXMP6A13F | Diodes
Diodes P-Kanal MOSFET, -60 V, -900 mA, TO-236, ZXMP6A13F
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MOSFETs Reihe ZXM.
P-Kanal-Anreicherungstypen.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Gehäuse): ZXMP6A13F, –60 V, 0,4 Ohm, –1,1 A, SOT23, Diodes
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 625 mW | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 0.4 Ω | |
| Ausführung | P-Kanal | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.9x10<sup>-9</sup> C | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | -900 mA | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 300 mΩ | |
| max. Spannung | -60 V |
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Logistik
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Ursprungsland | QU |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |