ZXMN6A09GTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 7.5 A, TO-261, ZXMN6A09GTA
Bestellnr.: 33S2884
EAN: 4099879034595
HTN:
ZXMN6A09GTA
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MOSFET, ZXMN6A09GTA, Diodes
Dieser Trench-MOSFET der neuen Generation zeichnet sich durch eine einzigartige Struktur aus, die die Vorteile eines niedrigen On-Widerstands und eines schnellen Schaltvorgangs miteinander verbindet und damit ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen ist.
Features
- Hochspannung
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Schwelle
- Niedriger Torantrieb
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Unterbrechungsschalter
- Motorsteuerung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 3.9 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | TO-261 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 7.5 A | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 40 mΩ | |
| max. Spannung | 60 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.42x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |