ZXMN3F30FHTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 4.6 A, TO-236, ZXMN3F30FHTA
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MOSFET, ZXMN3F30FHTA, Diodes
Dieser MOSFET der neuen Generation zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, der mit einer Gate-Ansteuerung von 4,5 V erreicht wird.
Features
- Niedriger On-Widerstand
- 4,5 V Gate-Treiberfähigkeit
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 47 mΩ | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 4.6 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 7.7x10<sup>-9</sup> C | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| max. Spannung | 30 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |