ZXMN10B08E6TA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 1.6 A, SOT-23, ZXMN10B08E6TA
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0,8568 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
MOSFET, ZXMN10B08E6TA, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Schwelle
- Niedriger Torantrieb
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Unterbrechungsschalter
- Motorsteuerung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 100 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 1.7 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 230 mΩ | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Strom | 1.6 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 9.2x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |