ZXMN10A08E6TA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 1.5 A, SOT-23, ZXMN10A08E6TA
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,5712 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 4 Wochen
MOSFET, ZXMN10A08E6TA, Diodes
Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine einzigartige Struktur aus, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstandes und eines schnellen Schaltvorgangs miteinander verbindet, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Motorsteuerung
- Unterbrechungsschalter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 100 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 1.7 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 250 mΩ | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Strom | 1.5 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 7.7x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |