ZXMN10A07ZTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 1 A, SOT-89, ZXMN10A07ZTA
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,3451 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: Auf Anfrage
Gesamtpreis:
345,10 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
1000 Stk.
0,3451 €
MOSFET, ZXMN10A07ZTA, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Niedrige Schwelle
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedriger Torantrieb
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Motorsteuerung
- Unterbrechungsschalter
Technische Daten
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 100 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 700 mΩ | |
| Gehäuse | SOT-89 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.9x10<sup>-9</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 1 A |
Download
Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |