ZXMN10A07FTA | Diodes

Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 700 mA, TO-236, ZXMN10A07FTA

Bestellnr.: 33S2834
EAN: 4099879034496
HTN:
ZXMN10A07FTA
Herstellerserien: ZXMN
ZXMN10A07FTA Diodes MOSFETs
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MOSFET, ZXMN10A07FTA, Diodes

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(on)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

Features

  • Niedriger Ein-Widerstand
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Niedrige Schwelle
  • Niedrige Gate-Ansteuerung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 700 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.9x10<sup>-9</sup> C
max. Temperatur 150 °C
Verlustleistung W (DC) 809 mW
Gehäuse TO-236
Montage SMD
max. Strom 700 mA
min. Temperatur -55 °C
max. Spannung 100 V
Ausführung N-Kanal
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
Merkmal Wert
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja